ECIS®(電氣細胞基質阻抗感測)是一種即時、無標籤、基於阻抗的方法,用於研究組織培養中細胞的行為。這些行為包括單層屏障功能、細胞生長速率與活性、傷口癒合遷移及其他由細胞骨架引導的行為。ECIS®方法已應用於多項研究,包括內皮單層通透性的測量、作為動物實驗替代方案的體外毒性測試、癌細胞的侵襲性測試以及涉及GPCR的信號轉導研究,用於現代藥物發現。
如何量化細胞行為
ECIS® 使用一個小型非侵入性的交流電流 (I),該電流施加在ECIS陣列底部的電極圖案上(不能使用直流電)。這會在電極之間產生一個電位 (V),並由ECIS儀器進行測量。阻抗 (Z) 根據歐姆定律 Z = V/I 來確定。
當細胞被添加到ECIS陣列並附著到電極上時,細胞會作為絕緣體,增加阻抗。隨著細胞的生長並覆蓋電極,電流會受到阻礙,這與覆蓋電極的細胞數量、細胞形態以及細胞附著的特性有關。當細胞受到刺激改變其功能時,伴隨而來的細胞形態變化會改變阻抗。所生成的數據是阻抗與時間的關係。
頻率如何揭示細胞行為
為什麼需要多種交流頻率?要理解交流頻率在ECIS®中的重要性,我們必須考慮頻率如何影響細胞覆蓋電極的電流路徑。測量的阻抗由兩個組成部分組成:電容和電阻。在相對較高的交流頻率(> 32,000 Hz)下,更多的電流會通過絕緣的細胞膜進行電容耦合。在相對較低的頻率(≤ 4,000 Hz)下,大多數電流會流經細胞之間和下方的溶液通道。高頻阻抗更多地受到細胞覆蓋的影響,因此對於測量細胞生長速率和細胞毒性非常有用;而低頻則對細胞下方或細胞間的空間變化反應更強,這使得它在量化屏障功能和細胞附著方面具有更大的應用價值。
更多ECIS原理請參閱下列影片和網址: https://www.biophysics.com/whatIsECIS.php